rk000000186

Оксидмые про эрачны е покрьггия на стекле можно получать из растворов по «золь-гель» технологии. Для этого используют гидролизуюшиеся пленкообразу- ющие соепинения, из которых наиболее оправдали себя на практике алкоксисое- динения, Ме (ОС2Н5)4, где Ме = 5і, Се, Ті, 5п и другие; Ме(ОС2Н5)3, где Ме = АІ, 5Ь и другие; Ме СІг(0С2Н5)2, где Ме = Ъ , Ті, Ш. Ѵкаэанные соединения применяют в виде спиртоводных или аиетоноводных растворов после их созревания. Гидролиз начи- нается с момента приготовления раствора и заканчивается в слое покрытия под влиянием паров окружающей среды. Реакиии проходят в несколько стадий. Растворы наносят на детали путем пульверизаиии, погружения и принудитель- ного растекания при вращении (иентрифугирование). Последующее нагревание изделия до 400-700°С приводит к завершению реакций и попному удалению ра- створителя и органических остатков. В итоге образуются покрытия, состоящие из оксидов 5ІОг, ТіО^, 2г02, СеО^, 5п02, ТН0г, НЮ2, АІ20 3, 5Ь2Оэ часто с недостатком кислорода (например, 5п02>, 5Ь2 і и т.д.). Толщина пленок достигает 2-3 мкм, но многократным наслаиванием с промеждуточным прогревом можно довести ее до 20-30 мкм. Возможно также и чередование слоев различных оксидов. Прозрачные токопроводящие оксидные покрытия на стекле можно получить распылением гидролизующихся растворов хлоридов на предварительно нагретые до 550-650°С поверхности стекла и стеклоизделий. При этом происходят реакции гидролиза, например: 5 п СІ4+ 5Н20 = 5 п 0 2+ 4НСІ + ЗН20 Оксидные пленки на стекле образуютследующие хлориды: 5ІСІа, ТІСІ4,2гСІ4, 5пСІ4, Н К І4, ТЬСІ4, АІСІ3, 5сСІ3, ІаС І3, СеСІ3, 5ЬСІ3, СгСІ3, РеСІ3, СоСІ2, ИіСІ,, МоСІ5, ѴѴСІ5. Получение метаплически х, оксидных и др уги х видов покеры тий иа стек- ле из п аро га зо вой ф а зы . Физическими методами испарения и конденсации мож- но наносить любые испаряюшиеся без разложения вещества. Механизм конденса- ции насыщенного пара характерен для образования покрытий на инертной повер- хности (низкая температура, нерастворимость конденсирующегося вещества в материале подпожки). При получении покрытий способом термического испаре- ния с последующей конденсацией паров, область испарения и обпасть конденса- ции разделяются пространственно и между ними создается большой градиент тем- ператур. Испаряюшееся вещество может находиться как в расплавленном (напри- мер, АІ, 2п, Си, Ссі, Ад. РЬ, Ті, Сг, N1), так и в твердом (например, В, С, 5І, Мд, Мо) состояниях. Процесс ведется в вакуумных камерах. Давление остаточных газов в них не должно превышать - 6,7 •10‘3Па. Высокий вакуум обеспечивает прямоли- нейность траектории полета атомов от испарителя к изделию (подложке). Испарителям придают разнообразные конструктивные формы. Главные типы испарителей - тигельные и бестигельные, с непосредственным (прямым) нагре- вом и нагревом по механизму теплопередачи. Прямой нагрев осуществляют про- пусканием электрического тока через испаряемое тело, возбуждением индукци- онных токов в испаряемом теле, воздействием электронного либо лазерного луча. Косвенный нагрев по механизму теплопередачи обусловлен теплопроводностью, конвекцией и излучением. При этом источником тепла является внешнее нагрева- тельное устройство. Схема установки с прямым электротермическим нагревом представлена на рис. 20.6. Процесс металпизаиии включает в себя подготовку поверхности, создание ваку- ума, очистку и активацию поверхности электрическим разрядом, испзрение и кон- 436